簡述等離子體的概念和等離子體顯示板工作的基本原理。
設等離子體為柱體,若β=1,那么等離子體中電流應該是什么樣的分布,外磁場的方向如何?
下列對于微波誘導氦等離子體的敘述錯誤的是()。
A.等離子體在高壓下工作,與GC的接口較困難
B.與ICP相比,氣體流速較低
C.He是GC常用的載氣,作為等離子體氣體比較方便
D.He具有簡單的光譜背景,激發能明顯高于氬
常規等離子體具有不容忍內部存在電場的稟性,這是否意味著等離子體內部不可能存在很大的電場,為什么?
下列哪種方法不能同時測定多種元素()。
A、原子吸收光譜
B、原子發射光譜
C、電感耦合等離子體光譜
D、電感耦合等離子體質譜
干法蝕刻通常指利用輝光放電方式,產生等離子體來進行圖案轉移的蝕刻技術。其中等離子體含有()。
A、離子、電子
B、中性原子
C、分子
D、自由基
()是在兩張薄玻璃板之間充填混合氣體,施加電壓使之產生等離子體,然后使等離子體放電,與基板中的熒光體發生反應,從而產生彩色影像。
A、等離子顯示器
B、標記
C、管理
D、處理
等離子增強反應沉積中,由于等離子體中()、()和()相互碰撞,可以大大降低沉積溫度,例如硅烷和氨氣的反應在通常條件下,約在850℃左右反應并沉積氮化硅,但在等離子體增強反應的條件下,只需在350℃左右就可以生成氮化硅。
一個截面為正方形(邊長為a)長方體放電容器內,縱向電場維持了定態等離子體,設直接電離項為,并忽略溫度梯度效應,求:(1)在截面內等離子體密度分布和電離平衡條件:??(2)設縱向電流密度為,給出穿過放電室截面的總電流表達式。